Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) начала выпуск нового сдвоенного полевого МОП-транзистора с N-каналом малого сопротивления для приложений управления питанием в мобильных устройствах. Полевой МОП-транзистор SSM6N58NU удовлетворяет потребности в цепях высокого тока и беспроводной зарядки, используемых в смартфонах, планшетах и ноутбуках.
 
По мере роста емкости батарей мобильных устройств возрастает нужда в устройствах, поддерживающих повышенные токи зарядки и периодичность. Такие устройства позволили бы свести время зарядки к минимуму. SSM6N58NU отвечает этим потребностям, обладая наибольшим постоянным током стока (ID), равным 4 A, и наибольшим импульсным током стока (IDP), равным 10 A. Более того, благодаря значительному снижению заряда затвора и емкости полевого МОП-транзистора достигается быстрое переключение.
 
Полевой МОП-транзистор с N-каналом обеспечивает эффективность и скорости коммутации за счет конструкции, которая минимизирует сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) и входную емкость (CISS). Входная емкость снижена до 129 пФ, тогда как RDS(ON)  составляет 67 миллиом при VGS = 4,5 В. Этим обеспечиваются низкие потери и высокое быстродействие вместе со временем переключения в открытое состояние (ton) 26 нс и временем переключения в закрытое состояние (toff) 9 нс. Низкий заряд затвора Qg = 1,8 нК (при ID = 4 A) значительно сокращает рассеяние по переменному току на частоте 3 МГц, обеспечивая возможность применения в преобразователях постоянного тока. Независимая конфигурация полевого МОП-транзистора и высокие уровни защиты от электростатического разряда, достигающие более 2 кВ, также позволяют использовать транзистор в цепях защиты батарей.
 
SSM6N58NU поставляется в корпусе UDFN6 для поверхностного монтажа; ему требуется участок платы всего 2 х 2 мм при высоте корпуса всего 0,75 мм. Благодаря плоскому телу кристаллической структуры этот корпус предлагает рассеиваемую мощность 2 Вт и способен выдерживать температуры канала вплоть до 150 °C.