Toshiba Electronics Europe выпускает новый 40 В p-канальный МОП-транзистор, предназначенный для работы в автомобильных устройствах, таких как схемы защиты от обратной полярности аккумуляторов и управления двигателями. Устройство TJ200F04M3L обладает усовершенствованной конструкцией, позволяющей снизить потери на проводимость. Оно соответствует требованиям стандарта AEC-Q101 к устройствам, сертифицированным для применения в автомобильной промышленности.
 
Новый мощный МОП-транзистор обладает минимальным в своем классе сопротивлением в открытом состоянии благодаря использованию кристалла, изготовленного по технологическому процессу U-MOS VI компании Toshiba, размещенного в корпусе TO-220SM (W) с медным соединителем. Низкое сопротивление нового устройства в открытом состоянии позволяет снизить потери на проводимость в электронных устройствах.
 
TJ200F04M3L имеет абсолютные максимальные значения VDSS = -40 В, ID = -200 А и RDS(ON) макс. = 1,8 мОм при VGS = 10 В. Мощный МОП-транзистор может эксплуатироваться при максимальной температуре канала 175 °C.